參數(shù)資料
型號(hào): HFA3096B96
英文描述: TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 12V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SO
中文描述: 晶體管|晶體管|陣|獨(dú)立| 12V的五(巴西)總裁| 40MA一(c)|蘇
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代理商: HFA3096B96
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HFA30PA60C 600V 30A HEXFRED Common Cathode Diode in a TO-247AC package
HFA30PB120 1200V 30A HEXFRED Discrete Diode in a TO-247 (2 LEAD) package
HFA30TA60CS 600V 30A HEXFRED Common Cathode Diode in a D2-Pak (HEXFRED) package
HFA3127B96 TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 12V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SO
HFA3101B96 Gilbert Cell UHF Transistor Array
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HFA3096BZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HFA3096BZ96 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA30PA60C 功能描述:整流器 600 Volt 2x15 Amp Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
HFA30PA60CPBF 功能描述:DIODE HEXFRED 600V 15A TO247AC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管,整流器 - 陣列 系列:HEXFRED® 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)(每個(gè)二極管):5A 電壓 - (Vr)(最大):600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
HFA30PA60CPBF_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:HEXFRED Ultrafast Soft Recovery Diode, 2 x 15 A