參數(shù)資料
型號： HFA3101BZ96
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Gilbert Cell UHF Transistor Array
中文描述： 6 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, SOIC-8
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： HFA3101BZ96
3-11
Typical Performance Curves for Transistors
FIGURE 14. I
C
vs V
CE
FIGURE 15. H
FE
vs I
C
FIGURE 16. GUMMEL PLOT
FIGURE 17. f
T
vs I
C
FIGURE 18. GAIN AND NOISE FIGURE vs FREQUENCY
NOTE: Figures 14 through 18 are only for Q
5
and Q
6
.
V
CE
(V)
I
C
0
2.0
6.0
4.0
0
70
60
50
40
30
20
10
I
B
= 800
μ
A
I
B
= 1mA
I
B
= 200
μ
A
I
B
= 400
μ
A
I
B
= 600
μ
A
h
F
I
C
(A)
10
-10
10
-8
10
-6
10
-4
10
-2
10
0
140
120
100
80
60
40
20
0
V
CE
= 5V
V
BE
(V)
I
C
B
10
-10
10
-8
10
-6
10
-4
10
-2
10
0
10
-12
0.20
0.40
0.60
0.80
1.0
V
CE
= 3V
I
C
(A)
f
T
12
10
8
6
4
2
0
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
20
18
16
14
12
10
4
6
N
FREQUENCY (GHz)
|
2
|
0.5
1.5
1.0
2.0
0
2.5
3.0
4.8
4.6
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
8
HFA3101
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HFA3102BZ 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 14 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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