參數(shù)資料
型號: HFA3127B96
英文描述: TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 12V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SO
中文描述: 晶體管|晶體管|陣|獨立| 12V的五(巴西)總裁| 40MA一(c)|蘇
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代理商: HFA3127B96
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HFA3101B96 Gilbert Cell UHF Transistor Array
HFA3101BZ Gilbert Cell UHF Transistor Array
HFA3101 Gilbert Cell UHF Transistor Array(Gb 單元超高頻晶體管陣列)
HFA3101BZ96 Gilbert Cell UHF Transistor Array
HFA3134IH96 Ultra High Frequency Matched Pair Transistors
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參數(shù)描述
HFA3127BZ 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3127BZ 制造商:Intersil Corporation 功能描述:TRANSISTOR ARRAY
HFA3127BZ 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY ULTRA H FREQ
HFA3127BZ96 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MILEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3127MJ/883 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:DUAL BRANDED 5962-9474901MEA - Bulk