參數(shù)資料
型號(hào)： HFA3135IH96
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Ultra High Frequency Matched Pair Transistors
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 52K
代理商： HFA3135IH96
4-453
DYNAMIC CHARACTERISTICS FOR HFA3135 (PNP)
Noise Figure
NF
f = 900MHz, I
C
= -10mA,
-1V
≤
V
CE
≤
-5V, Z
S
= 50
B
-
5.2
-
dB
f = 900MHz, I
C
= -1mA,
-1V
≤
V
CE
≤
-5V, Z
S
= 50
B
-
4.6
-
dB
Current Gain-Bandwidth Product
f
T
I
C
= -10mA, V
CE
= -5V
B
-
7
-
GHz
Power Gain-Bandwidth Product
f
MAX
I
C
= -10mA, V
CE
= -5V
B
-
TBD
-
GHz
Base-to-Emitter Capacitance
V
BE
= 0.5V
B
-
550
-
fF
Collector-to-Base Capacitance
V
CB
= -3V
B
-
400
-
fF
NOTES:
3. Test Level: A. Production Tested; B. Typical or Guaranteed Limit Based on Characterization; C. Design Typical f+++++++++++++or Information
Only.
4. Measuring V
EBO
can degrade the transistor h
FE
and h
FE
match.
5. See Typical Performance Curves for more information.
Electrical Specifications
T
A
= 25
o
C
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
TEST
LEVEL
(NOTE 3)
MIN
TYP
MAX
UNITS
Typical Performance Curves
T
A
= 25
o
C, Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NPN COLLECTOR CURRENT vs COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
FIGURE2. NPNCOLLECTORANDBASECURRENTSvsBASE
TO EMITTER VOLTAGE
C
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
20
18
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
5.0
4.5
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
I
B
= 200
μ
A
I
B
= 160
μ
A
I
B
= 120
μ
A
I
B
= 80
μ
A
I
B
= 40
μ
A
C
BASE TO EMITTER VOLTAGE (V)
1m
100
μ
10
μ
1
μ
100n
10n
1n
100p
10p
100m
10m
1.0
0.8
0.6
0.4
I
C
I
B
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
0.9
0.7
0.5
HFA3134, HFA3135
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HFA320NJ40D 400V 320A HEXFRED Doubler Diode in a TO-244AB Non-Isolated package
HFA35HA120C
HFA35HA60C
HFA35HB120 1200V 11A Hi-Rel Ultra-Fast Discrete Diode in a TO-254AA package
HFA35HB120C 1200V 15A Hi-Rel Ultra-Fast Common Cathode Diode in a TO-254AA package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HFA3135IHZ96 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA320NJ40C 功能描述:DIODE HEXFRED 400V 321A TO-244AB RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管，整流器 系列:HEXFRED® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
HFA320NJ40CPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:HEXFRED? Ultrafast Soft Recovery Diode, 320 A
HFA320NJ40D 功能描述:DIODE HEXFRED 400V 321A TO-244AB RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管，整流器 系列:HEXFRED® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:30A 電壓 - (Vr)（最大）:400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
HFA32PA120C 功能描述:整流器 1200 Volt 2x16 Amp Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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