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參數(shù)資料
| 型號： | HM5112805F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128M EDO DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128M的內(nèi)存江戶（128M的擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 34/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 466K |
| 代理商： | HM5112805F |
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HM5112805F-6, HM5113805F-6
34
Revision Record
Rev. Date
Contents of Modification
Drawn by
Approved by
0.0
May. 19, 1999 Initial issue
M. Kawamura M. Mishima
1.0
Nov. 8, 1999
Deletion of Preliminary
M. Kawamura Y. Kasama
2.0
Dec. 6, 1999
DC Characteristics
I
CC10
(L-version) max: 2/2 mA to 2.5/2.5 mA
Change of datasheet tittle:
HM5112805F Series, HM5113805F Series to
HM5112805F-6, HM5113805F-6
M. Kawamura Y. Kasama
3.0
Feb. 2, 2000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5113805F | 128 M EDO（Extended Data Output） DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) |
| HM5113165F | 128M EDO DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) |
| HM5116100 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-6 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5112805F-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5112805FLTD-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5112805FTD-5 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword × 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5112805FTD-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5112805LTD-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
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