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參數(shù)資料
| 型號： | HM5113805FTD-6 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| 中文描述： | 128M的內(nèi)存江戶（16 Mword × 8位）8K的refresh/4k刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 4/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 480K |
| 代理商： | HM5113805FTD-6 |
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HM5112805F-6, HM5113805F-6
4
Pin Arrangement
(HM5113805F)
(Top view)
32-pin TSOP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
NC
V
CC
WE
RAS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
V
SS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
CAS
OE
NC
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
Pin Description
Pin name
Function
A0 to A11
Address input
— Row/Refresh address A0 to A11
— Column address
A0 to A11
I/O0 to I/O7
RAS
CAS
WE
OE
Data input/output
Row address strobe
Column address strobe
Write enable
Output enable
V
CC
V
SS
NC
Power supply
Ground
No connection
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5112805F | 128M EDO DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) |
| HM5113805F | 128 M EDO（Extended Data Output） DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) |
| HM5113165F | 128M EDO DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) |
| HM5116100 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5113805LTD-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HM5113805TD-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HM5113805TD-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HM51-150JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51150K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 15uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
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