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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5116100 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| 中文描述： | 1,600計(jì)劃生育的DRAM（16 Mword × 1位）4K的刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 6/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | HM5116100 |
HM5116100 Series
6
AC Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C, V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V)
*1, *2, *16
Test Conditions
Input rise and fall time : 5 ns
Input timing reference levels : 0.8 V, 2.4 V
Output load : 2 TTL gate + C
L
(100 pF) (Including scope and jig)
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles
(Common parameters)
HM5116100
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Random read or write cycle time
RAS
precharge time
CAS
precharge time
RAS
pulse width
CAS
pulse width
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
T
110
—
130
—
ns
40
—
50
—
ns
10
—
10
—
ns
60
10000
70
10000
ns
15
10000
18
10000
ns
Row address setup time
0
—
0
—
ns
Row address hold time
10
—
10
—
ns
Column address setup time
0
—
0
—
ns
Column address hold time
RAS
to
CAS
delay time
RAS
to column address delay time
RAS
hold time
CAS
hold time
CAS
to
RAS
precharge time
10
—
15
—
ns
20
45
20
52
ns
3
15
30
15
35
ns
4
15
—
18
—
ns
60
—
70
—
ns
5
—
5
—
ns
Transition time (rise and fall)
3
50
3
50
ns
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-6 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-7 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5117805J-5 | 16M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2k Refresh |
| HM5117805J-6 | 16M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5116100BS-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HM5116100BS-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HM5116100BS-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HM5116100J-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HM5116100J-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
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