參數(shù)資料
型號(hào)： HM5116100S-6
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh
中文描述： 1,600計(jì)劃生育的DRAM（16 Mword × 1位）4K的刷新
文件頁(yè)數(shù)： 4/24頁(yè)
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代理商： HM5116100S-6
HM5116100 Series
4
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Voltage on any pin relative to V
SS
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
T
V
CC
Iout
–1.0 to +7.0
V
–1.0 to +7.0
V
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
1.0
W
Operating temperature
0 to +70
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +125
Recommended DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +70
°
C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Supply voltage
V
CC
V
IH
V
IL
4.5
5.0
5.5
V
1
Input high voltage
2.4
—
6.5
V
1
Input low voltage
Note:
1. All voltage referred to V
SS
–1.0
—
0.8
V
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5116100S-7 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh
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HM5117805J-7 16 M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2 k Refresh
HM5117805LJ-5 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh
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參數(shù)描述
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