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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5117805LJ-7 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 70 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 497K |
| 代理商： | HM5117805LJ-7 |
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EO rdc
HM5117805 Series
Data Sheet E0156H10
7
Capacitance
(Ta = 25°C, V
CC
= 5 V ± 10%)
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
C
I1
C
I2
C
I/O
—
5
pF
1
Input capacitance (Clocks)
—
7
pF
1
Output capacitance (Data-in, Data-out)
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2.
CAS
= V
IH
to disable Dout.
—
7
pF
1, 2
AC Characteristics
(Ta = 0 to +70°C, V
CC
= 5 V ±10%, V
SS
= 0 V)
*1, *2, *18
Test Conditions
Input rise and fall time: 2 ns
Input levels: V
IL
= 0 V, V
IH
= 3 V
Input timing reference levels: 0.8 V, 2.4 V
Output timing reference levels: 0.8 V, 2.0 V
Output load: 1 TTL gate + C
L
(100 pF) (Including scope and jig)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5118160BLJ-6 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM5118160BLJ-7 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM5118160BLJ-8 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM5118160BTT-6 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM5118160BTT-7 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5117805LS-5 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LS-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LS-7 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-5 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
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