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參數(shù)資料
| 型號： | HM5117805TT-6 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28 |
| 文件頁數(shù)： | 16/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 549K |
| 代理商： | HM5117805TT-6 |
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EO rdc
HM5117805 Series
Data Sheet E0156H10
16
Delayed Write Cycle
*18
Address
CAS
RAS
WE
Din
OE
Dout
t
RC
t
RAS
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RP
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CSH
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RCD
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Column
Row
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DH
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DZO
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OED
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OEH
t
CLZ
t
OEZ
High-Z
Din
High-Z
Invalid Dout
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5117805TT-7 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTT-5 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-5 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-6 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5117805TT-7 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM51180J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Inductor Power Wirewound 18uH 5% 1KHz 4.7A 23mOhm DCR AXL 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 5% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51180K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180K | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
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