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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5117805TT-7 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 70 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28 |
| 文件頁數(shù)： | 31/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 549K |
| 代理商： | HM5117805TT-7 |
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EO rdc
HM5117805 Series
Data Sheet E0156H10
31
HM5117805TS/LTS Series
(TTP-28DB)
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Weight
(reference value)
TTP-28DB
—
—
0.35 g
18.41
18.81 Max
1
14
28
15
1.27
0.21
0.42
±
0.08
0.40
±
0.06
1
0.10
7
9.22
±
0.2
0
±
0
°
– 5
°
M
1.15 Max
0.50
±
0.10
0
0
±
0
±
0.80
Unit: mm
Dimension including the plating thickness
Base material dimension
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5117805LTT-5 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-5 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-6 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-7 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM51180J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Inductor Power Wirewound 18uH 5% 1KHz 4.7A 23mOhm DCR AXL 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 5% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51180K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180K | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180KLF | 功能描述:MINIATURE POWER INDUCTORS AXIAL RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM51 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.9MHz |
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