參數(shù)資料
型號(hào): HM5118165TT-7
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 16M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh
中文描述: 1,600 EDO公司的DRAM(1 - Mword x 16位),1畝刷新
文件頁數(shù): 16/31頁
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代理商: HM5118165TT-7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5118165TT-5 16M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh
HM5118165TT-6 16M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh
HM5118165BTT-6 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory
HM5118165BTT-7 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory
HM5118165LTT-5 16M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 1 k Refresh
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參數(shù)描述
HM51181J 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Inductor Power Wirewound 180uH 5% 1KHz 1.8A 150mOhm DCR AXL 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 180uH 5% 1KHz 1.8A AXL
HM51-181JLF 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors
HM51181K 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 180uH 10% 1KHz 1.8A AXL
HM51-181K 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 180uH 10% 1KHz 1.8A AXL
HM51-181KLF 功能描述:MINIATURE POWER INDUCTORS AXIAL RoHS:是 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:HM51 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz