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參數(shù)資料
| 型號： | HM5225645F-B60 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/100 SDRAM |
| 中文描述： | 256M LVTTL接口SDRAM的100兆赫1 - Mword × 64位× 4-bank/2-Mword × 32位× 4個銀行PC/100 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 12/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | HM5225645F-B60 |
HM5225645F-B60, HM5225325F-B60
12
AC Characteristics
(Tcase = 0 to 70
°
C [Tj max = 110
°
C]), V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
HM5225645F/HM5225325F
-B60
Parameter
HITACHI
Symbol
PC/100
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
System clock cycle time
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
t
CK
t
CK
t
CKH
t
CKL
Tclk
15
—
ns
1
Tclk
10
—
ns
CLK high pulse width
Tch
3
—
ns
1
CLK low pulse width
Tcl
3
—
ns
1
Access time from CLK
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
t
AC
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
Tac
—
8
ns
1, 2
Tac
—
6
ns
Data-out hold time
Toh
3
—
ns
1, 2
CLK to Data-out low impedance
2
—
ns
1, 2, 3
CLK to Data-out high impedance
(
CAS
latency = 2, 3)
—
6
ns
1, 4
Input setup time
t
AS
, t
CS
, t
DS
,
t
CES
t
CESP
Tsi
2
—
ns
1, 5, 6
CKE setup time for power down
exit
Tpde
2
—
ns
1
Input hold time
t
AH
, t
CH
, t
DH
,
t
CEH
t
RC
Thi
1
—
ns
1, 5
Ref/Active to Ref/Active command
period
Trc
70
—
ns
1
Active to Precharge command
period
t
RAS
Tras
50
120000
ns
1
Active command to column
command (same bank)
t
RCD
Trcd
20
—
ns
1
Precharge to active command
period
t
RP
Trp
20
—
ns
1
Write recovery or data-in to
precharge lead time
t
DPL
Tdpl
10
—
ns
1
Active (a) to Active (b) command
period
t
RRD
Trrd
20
—
ns
1
Transition time (rise and fall)
t
T
t
REF
1
5
ns
Refresh period
—
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5225325F | 256-Mbit SDRAM(256M位同步RAM) |
| HM5225645F | 256-Mbit SDRAM(256M位同步RAM) |
| HM5225405B | 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM) |
| HM5225805B | 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM) |
| HM5225165B | 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5225805B-75 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225805B-A6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225805B-B6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225805BLTT-75 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225805BLTT-A6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
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