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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5225645F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256-Mbit SDRAM(256M位同步RAM) |
| 中文描述： | 256M的SDRAM（256M位同步內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | HM5225645F |
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HM5225645F-B60, HM5225325F-B60
10
DC Characteristics
(Tcase = 0 to 70
°
C [Tj max = 110
°
C]), V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
(HM5225325F)
HM5225325F
-B60
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Test conditions
Notes
Operating current
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
I
CC1
I
CC1
I
CC2P
—
180
mA
Burst length = 1
t
RC
= min
1, 2, 3
—
200
mA
Standby current in power down
—
12
mA
CKE = V
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
6
Standby current in power down
(input signal stable)
I
CC2PS
—
8
mA
7
Standby current in non power
down
I
CC2N
—
64
mA
CKE,
CS
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IH
, t
CK
=
∞
4
Standby current in non power
down (input signal stable)
I
CC2NS
—
36
mA
9
Active standby current in power
down
I
CC3P
—
16
mA
CKE = V
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
1, 2, 6
Active standby current in power
down (input signal stable)
I
CC3PS
—
12
mA
2, 7
Active standby current in non
power down
I
CC3N
—
80
mA
CKE,
CS
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IH
, t
CK
=
∞
1, 2, 4
Active standby current in non
power down (input signal stable)
I
CC3NS
—
60
mA
2, 9
Burst operating current
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
I
CC4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
—
200
mA
t
CK
= min, BL = 4
1, 2, 5
—
250
mA
Refresh current
—
380
mA
t
RC
= min
V
IH
≥
V
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
3
Self refresh current
—
4
mA
8
Self refresh current (L-version)
I
CC6
I
LI
I
LO
—
1.6
mA
Input leakage current
–4
4
μ
A
μ
A
0
≤
Vin
≤
V
CC
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
Output leakage current
–6
6
Output high voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
V
I
OH
= –4 mA
I
OL
= 4 mA
Output low voltage
—
0.4
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5225405B | 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM) |
| HM5225805B | 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM) |
| HM5225165B | 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM) |
| HM5251405B | 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM) |
| HM5251805B | 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5225645F-B60 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/100 SDRAM |
| HM5225805B-75 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225805B-A6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225805B-B6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225805BLTT-75 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
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