參數資料
型號： HM5225805B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM)
中文描述： 256M LVTTL接口的SDRAM（256M LVTTL接口同步的DRAM）
文件頁數： 57/64頁
文件大?。?/td> 802K
代理商： HM5225805B
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
57
Read/Single Write Cycle
+
4
5
=
*
+
3
+
3
4
=
+
3
4
5
=
>
#
,
4
5
>
#
+
,
4
#
+
,
4
5
"
#
+
A
DQ (input)
DQ (output)
H
I
7
H
I
0
1
2
3
5
6
7
8
N
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
H
O
R:a
C:a
R:b
C:a'
H
I
H
I
E
N
O
R:a
C:a
C:a
N
O
a
a
a
a
7
H
A
I
J
A
I
J
8
A
B
J
8
A
J
/
8
A
/
7
8
.
7
8
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 3
Active
Bank 0
Write
Bank 0
Precharge
Bank 3
Precharge
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 0
Write
Bank 0
Precharge
N
"
#
+
R:b
Bank 3
Active
$
#
#
#
#
1
2
9
:
C
(
1
9
:
(
0
1
9
'
(
0
1
9
I
H
I
&
'
.
/
8
&
'
/
0
8
'
(
/
0
8
'
(
0
1
8
9
(
0
1
8
9
B
C:a
Bank 0
Read
a
a+1 a+2 a+3
@
A
I
'
(
/
0
8
9
A
9
B
C
K
9
A
B
K
0
8
9
A
B
0
8
9
A
J
A
J
A
I
J
@
A
I
J
Bank 0
Write
Bank 0
Write
CKE
E
RAS
CS
CAS
WE
Address
DQM,
DQMU/DQML
DQ (input)
DQ (output)
CLK
BS
CKE
RAS
CS
CAS
WE
BS
Address
DQM,
DQMU/DQML
E
M
N
)
C:b
b
c
a+1
a+3
a+1 a+2 a+3
C:c
G
O
P
F
M
N
F
N
O
$
,
5
>
4L
V
IH
V
IH
Read/Single write
RAS
-
CAS
delay = 3
CAS
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IH
IL
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PDF描述
HM5225165B 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM)
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HM5251165B 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
HM5257405BTD-75 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
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