參數(shù)資料
型號(hào)： HM5257165BTD-A6
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 55/62頁(yè)
文件大小： 463K
代理商： HM5257165BTD-A6
HM5257165B/HM5257805B/HM5257405B-75/A6
Data Sheet E0081H10
55
Mode Register Set Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
BS
Address
DQM,
DQMU/DQML
DQ (output)
DQ (input)
High-Z
b
b+3
b
’
b
’
+1
b
’
+2
b
’
+3
l
valid
C: b
’
RSA
code
lRCD
lRP
Precharge
Mode
register
Set
Bank 3
Bank 3
R: b
C: b
Output mask
V
IH
l = 3
CAS
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IL
Read Cycle/Write Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
R:a
C:a
R:b
C:b
C:b'
C:b"
a
a+1 a+2 a+3
b
b+1 b+2 b+3 b'
b'+1 b"
b"+1 b"+2 b"+3
CKE
RAS
CAS
WE
CS
Address
DQMU/DQM,
DQ (output)
DQ (input)
CLK
BS
R:a
C:a
R:b
C:b
C:b'
C:b"
a
a+1 a+2 a+3
b
b+1 b+2 b+3 b'
b'+1 b"
b"+1b"+2 b"+3
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 0
Bank 3
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 0
Bank 3
CKE
RAS
CS
CAS
WE
Address
DQM,
DQMU/DQML
DQ (output)
DQ (input)
BS
High-Z
High-Z
V
IH
V
IH
Read cycle
RAS
-
CAS
delay = 3
CAS
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IL
Write cycle
RAS
-
CAS
delay = 3
CAS
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IL
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PDF描述
HM5257405BTD-A6 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5257805B-75 Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:30; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:18-30
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