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參數(shù)資料
| 型號： | HM5259805B-A6 |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | PT 32C 32#20 PIN PLUG |
| 中文描述： | 512M LVTTL接口SDRAM的133 MHz/100 MHz的8 Mword】16位】4-bank/16-Mword】8位】4銀行/ 32 Mword】4位】4銀行PC/133，電腦/ 100內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 24/63頁 |
| 文件大小： | 368K |
| 代理商： | HM5259805B-A6 |
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HM5259165B/HM5259805B/HM5259405B-75/A6
Data Sheet E0118H10
24
Write operation:
Burst write or single write mode is selected by the OPCODE (BA1, BA0, A12, A11, A10,
A9, A8) of the mode register.
1. Burst write:
A burst write operation is enabled by setting OPCODE (A9, A8) to (0, 0). A burst write
starts in the same clock as a write command set. (The latency of data input is 0 clock.) The burst length can
be set to 1, 2, 4 and 8, like burst read operations. The write start address is specified by the column address
and the bank select address (BA0/BA1) at the write command set cycle.
WRIT
CLK
Command
Din
ACTV
Row
Column
in 0
in 6
in 7
Address
in 1
in 4
in 5
in 3
BL = 1
BL = 2
BL = 4
BL = 8
t
RCD
in 0
in 0
in 0
in 1
in 1
in 2
in 2
in 3
CAS
Latency = 2, 3
2. Single write:
A single write operation is enabled by setting OPCODE (A9, A8) to (1, 0). In a single write
operation, data is only written to the column address and the bank select address (BA0/BA1) specified by the
write command set cycle without regard to the burst length setting. (The latency of data input is 0 clock).
WRIT
CLK
Command
Din
ACTV
Row
Column
in 0
Address
t
RCD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5264405D | 64M LVTTL interface SDRAM(64M LVTTL接口同步DRAM) |
| HM5264165D | 64M LVTTL interface SDRAM(64M LVTTL接口同步DRAM) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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