參數(shù)資料
型號： HM5425401BTT-75A
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
中文描述： 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 28/65頁
文件大小： 489K
代理商： HM5425401BTT-75A
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
28
Auto Precharge
Read with auto-precharge:
The precharge is automatically performed after completing a read operation.
The precharge starts t
RPD
(BL/2) cycle after READA command input. t
RAP
specification for READA allows a
read command with auto precharge to be issued to a bank that has been activated (opened) but has not yet
satisfied the t
RAS
(min) specification. A column command to the other active bank can be issued at the next
cycle after the last data output. Read with auto-precharge command does not limit row commands execution
for other bank. Refer to the ‘Read with Auto-Precharge Enabled, Write with Auto-Precharge Enabled’
section.
D0
D1
D2
D3
CLK
CLK
DQ
Command
t
RP
(min)
t
RAP
(min) = t
RCD
(min)
ACTV
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
NOP
2 cycles (= BL/2)
READA
ACTV
DQS,
DQSU/DQSL
t
AC
,t
DQSCK
t
RPD
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PDF描述
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HM5425161B 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM)
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