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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM66AEB18204BP-60 |
| 英文描述： | HM66AEB36104/HM66AEB18204 HM66AEB9404 Datasheet |
| 中文描述： | HM66AEB36104/HM66AEB18204 HM66AEB9404數(shù)據(jù)表 |
| 文件頁數(shù)： | 3/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 251K |
| 代理商： | HM66AEB18204BP-60 |
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HM66AEB36102/HM66AEB18202
HM66AEB9402
36-Mbit DDR II SRAM
2-word Burst
ADE-203-1365 (Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Dec. 18, 2002
Description
The HM66AEB36102 is a 1,048,576-word by 36-bit, the HM66AEB18202 is a 2,097,152-word by 18-bit,
and the HM66AEB9402 is a 4,194,304-word by 9-bit synchronous double data rate static RAM fabricated
with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell. It integrates unique
synchronous peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair
(K and
K
) and are latched on the positive edge of K and
K
. These products are suitable for applications
which require synchronous operation, high speed, low voltage, high density and wide bit configuration.
These products are packaged in 165-pin plastic FBGA package.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM66AEB18205BP-30 | HM66AEB36105/HM66AEB18205 HM66AEB9405 Datasheet |
| HM66AEB18205BP-33 | HM66AEB36105/HM66AEB18205 HM66AEB9405 Datasheet |
| HM66AEB18205BP-40 | HM66AEB36105/HM66AEB18205 HM66AEB9405 Datasheet |
| HM66AEB9404BP-60 | HM66AEB36104/HM66AEB18204 HM66AEB9404 Datasheet |
| HM66AEB9405BP-30 | HM66AEB36105/HM66AEB18205 HM66AEB9405 Datasheet |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM66AEB18205BP-30 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HM66AEB36105/HM66AEB18205 HM66AEB9405 Datasheet |
| HM66AEB18205BP-33 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HM66AEB36105/HM66AEB18205 HM66AEB9405 Datasheet |
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| HM66AEB18205BP-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HM66AEB36105/HM66AEB18205 HM66AEB9405 Datasheet |
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