參數(shù)資料
型號(hào)： HN29W12811T-60
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit)
中文描述： 128M的超過(guò)8029型快閃記憶體部門（135657984位）
文件頁(yè)數(shù)： 17/42頁(yè)
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代理商： HN29W12811T-60
HN29W12811 Series
17
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Notes
V
CC
voltage
V
SS
voltage
All input and output voltages
V
CC
V
SS
Vin, Vout
–0.6 to +4.6
V
1
0
V
–0.6 to V
CC
+ 0.3
0 to +70
V
1, 2
Operating temperature range
Topr
C
Storage temperature range
Tstg
–65 to +125
C
3
Storage temperature under bias
Notes: 1. Relative to V
SS
.
2. Vin, Vout = –2.0 V for pulse width
≤
20 ns.
3. Device storage temperature range before programming.
Tbias
–10 to +80
C
Capacitance
(Ta = 25C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input capacitance
Cin
—
—
6
pF
Vin = 0 V
Output capacitance
Cout
—
—
12
pF
Vout = 0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HN29W12811 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit)
HN29W12814A 128M AND type Flash Memory(128M AND型閃速存儲(chǔ)器)
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HN29W25611T 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit)
HN29W25611T-50H 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit)
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參數(shù)描述
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HN29W12814ATT-50 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|AND FLASH|2X8448KX8|CMOS|TSOP|48PIN|PLASTIC
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HN29W25611SERIES 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM
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