- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄370676 > HRF3205ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HRF3205ST |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 100號(hào)A（丁）|對(duì)263AB |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | HRF3205ST |
HRF32
4
Main Characteristic
1.6
75
100
25
Ambient temperature
Ta (°C)
50
0
125
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
100
60
40
20
0
0
D=1/2
D=5/6
D=2/3
Sin
1.2
1.4
DC
D=1/2
D=1/3
D=1/6
Sin
1.6
75
100
25
50
0
125
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.2
1.4
DC
D=1/6
D=1/2
D=1/3
t
T
0A
D=
\
T
t
DC
D=1/2
D=1/6
1.2
Sin
D=1/3
t
T
0V
D=
\
T
t
80
Sin
VR=VRRM
Tj=125°C
Alumina Board
VR=VRRM
Tj=125°C
Print Board
AO
Fig.6 Average forward current Vs. Ambient temperature
Ambient temperature
Ta (°C)
AO
Fig.7 Average forward current Vs. Ambient temperature
Forward current I F (A)
Fig.5 Reverse power dissipation Vs. Reverse voltage
F
Fig.4 Forward p ower dissipation Vs. Forward current
Reverse voltage V
R
@
(V)
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HRF502 | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
| HRF502A | RES 36 OHM .6W 2010 SMD |
| HRF503A | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| HRM1200L | Optoelectronic |
| DSP56367 | Optoelectronic |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HRF-400A0-001A | 制造商:HOKURIKU 制造商全稱:HOKURIKU 功能描述:Low Power RF Transceiver Module |
| HRF-426A0-001E | 制造商:HOKURIKU 制造商全稱:HOKURIKU 功能描述:Low Power RF Transceiver Module |
| HRF-426A1-003B | 制造商:HOKURIKU 制造商全稱:HOKURIKU 功能描述:Low Power RF Transceiver Module |
| HRF-429A0-001D | 制造商:HOKURIKU 制造商全稱:HOKURIKU 功能描述:Low Power RF Transceiver Module |
| HRF-429A1-003A | 制造商:HOKURIKU 制造商全稱:HOKURIKU 功能描述:Low Power RF Transceiver Module |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。