參數(shù)資料
型號: HRW1002AS
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 20K
代理商: HRW1002AS
0
150
50
100
25
Case temperature Tc ( °C)
75
125
A
0
8
4
12
Vout = 3V
10
6
2
0
150
50
100
25
75
125
Case temperature Tc ( °C)
0
25
10
15
5
R
I =5A
Per one device
30
20
Fig.5 Repetitive peak reverse voltage
Vs. Case temperature
Fig.4 Average forward current
Vs.Case temperature
Package Dimensions
Unit: mm
HRW1002A L
10.2 ± 0.3
0.86
0.76 ± 0.1
2.54 ± 0.5
2.54 ± 0.5
+ 0.2
– 0.1
1.2 ± 0.2
4.44 ± 0.2
1.3 ± 0.2
2.59 ± 0.2
0.4 ± 0.1
1
8
1
1
+
(
1.27 ± 0.2
(
W1002A
Lot No.
1
2
3
1 Anode
2 Cathode
3 Anode
HITACHI Code LDPAK L
JEDEC Code —
EIAJ Code —
Weight (g) 1.4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HRW1002B
HRW1002AL Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢壘二極管)
HRW1002AW Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢壘二極管)
HRW1002A Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢壘二極管)
HRW1002AS Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢壘二極管)
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參數(shù)描述
HRW2502AL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
HRW2502AS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
HRW2502B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
HRW26 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Schottky Barrier Diode for High Frequency Rectifying
HRW36 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: