參數(shù)資料
型號： HSE11
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： GaAs Schottky Barrier Diode for SHF Mixer(用于SHF混頻器的肖特基勢壘二極管)
中文描述： 砷化鎵肖特基二極管混頻器的超高頻（用于超高頻混頻器的肖特基勢壘二極管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： HSE11
HSE11
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Forward voltage
V
F
V
R
C
—
—
1.0
V
I
F
= 50mA
I
R
= 10μA
V
R
= 0V, f = 1MHz
r
s
= 50V
– 150.75V
F2
+ 100.75V
F1
V
F1
: I
F
= 1.0mA, V
F2
: I
F
= 2.7mA,
V
F3
: I
F
= 20mA
*C = 25pF
Reverse voltage
4.0
—
—
V
Capacitance
—
—
0.4
pF
Series resistance
r
s
—
—
1.3
ESD capability
Note: Failure criterion; I
R
3 1μA at V
R
= 2V
—
25
—
—
V
Forward voltage V (V)
F
F
10
–3
10
–4
10
–5
10
–6
0
0.4
0.8
0.6
10
–2
0.2
1.0
10
–1
Fig.1 Forward current Vs. Forward voltage
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PDF描述
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