參數(shù)資料
型號(hào)： HSM107S
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection
中文描述： 硅肖特基二極管的系統(tǒng)保護(hù)
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 31K
代理商： HSM107S
HSM107S
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Value
Unit
Reverse voltage
V
R
I
FM
I
FSM
*1
8
V
Peak forward current
0.1
A
Non-Repetitive Peak
forward surge current
0.5
A
Average forward current
I
O
Tj
50
mA
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
Notes: 1. Square wave, 10ms
Tstg
–55 to +125
Electrical Characteristics (Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Reverse voltage
V
R
I
R
V
F
—
8
—
—
—
I
R
= 1.0 mA
V
R
= 5 V
I
F
= 10 mA
C=200pF, Both forward
and reverse direction 1 pulse
Reverse current
—
—
30
μ
A
Forward voltage
—
—
0.3
V
ESD Capability
*1
100
—
—
V
Notes: 1. Failure Criterion ; I
R
≥
60
μ
A at V
R
=5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HSM109WK
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HSM113WK
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參數(shù)描述
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