參數(shù)資料
型號： HSM126S
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection
中文描述： 硅肖特基二極管的系統(tǒng)保護
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 29K
代理商： HSM126S
HSM126S
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
*
3
Item
Symbol
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
I
O
*
1
I
FSM
*
2
Tj
20
V
Average forward current
200
mA
Non-Repetitive peak forward surge current
2
A
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
Notes: 1. Sine wave, Two device total
2. 50Hz half sine wave 1 pulse
3. Per one device
Tstg
–55 to +125
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
*
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Reverse current
I
R
V
F
C
—
—
2.0
μ
A
V
R
= 5V
I
F
= 10mA
V
R
= 0V, f = 1MHz
Forward voltage
—
—
0.35
V
Capacitance
Note:
—
40
—
pF
Per one device
Forward voltage V (V)
F
F
10
–5
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
–2
10
–4
10
–3
10
–1
1.0
Ta = 75
°
C
Ta = 25
°
C
Pulse test
Fig.1 Forward current Vs. Forward voltage
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