參數(shù)資料
型號: HSMS-8101
英文描述: Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes(表貼型微波肖特基混頻二極管(單路))
中文描述: 表面安裝微波肖特基二極管混頻器(表貼型微波肖特基混頻二極管(單路))
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代理商: HSMS-8101
2
DC Electrical Specifications, T
A
= 25
°
C
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.
V
BR
Breakdown Voltage
I
R
= 10
μ
A
Total Capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Capacitance Difference
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Dynamic Resistance
I
F
= 5 mA
Dynamic Resistance Difference
I
F
= 5 mA
Forward Voltage
I
F
= 1 mA
Forward Voltage Difference
I
F
= 1 mA
Lead Code
V
4
4
4
4
4
C
T
pF
0.26
0.26
0.26
0.26
0.26
C
T
pF
0.04
0.04
0.04
0.04
R
D
14
14
14
14
14
R
D
2
2
2
2
V
F
mV
250
350
250
350
250
350
250
350
250
350
V
F
mV
20
20
20
20
1
2
5
7
9
Package Marking Code in White
R1
2R
R5
R7
R9
RF Electrical Parameters, T
A
= 25
°
C
Symbol
Parameter
L
c
Conversion Loss at 12 GHz
Z
IF
IF Impedance
SWR
SWR at 12 GHz
Note:
DC Load Resistance = 0
; LO Power = 1 mW.
Units
dB
Typical
6.3
150
1.2
SPICE Parameters
I
S
= 4.6 E-8
R
S
= 6
N = 1.09
B
V
= 7.3
I
BV
= 10E-5
E
G
= 0.69
C
JO
= 0.18 E-12
P
B
(V
J
) = 0.5
M = 0.5
FC = 0.5
TT = 0
Linear Equivalent Circuit
0.17 pF
R
j
0.08 pF
1.0 nH
1.3 nH
6
Self Bias
1 mA
263
2.5 mA
142
R
j
HSMS-8102 HSMS-8205 HSMS-8207 HSMS-8209
HSMS-8101
相關PDF資料
PDF描述
HSMS-8202 Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes(表貼型微波肖特基混頻二極管(系列成對))
HSMS-8209 Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes(表貼型微波肖特基混頻二極管(四路正交))
HSMS2805 ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SO
HSMS2807 DIODE MULTIPLIER/TRIPLER|SO
HSMS2808 BRIDGE/RING DIODE ARRAY|SO
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HSMS-8101-BLK 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes
HSMS-8101-BLKG 功能描述:射頻混合器 4 VBR 0.26 pF RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 頻率范圍: 轉換損失——最大: 工作電源電壓:6 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube
HSMS-8101SINGLE 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes (69K in pdf)
HSMS-8101-TR1 功能描述:DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT23 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF 二極管 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 二極管類型:PIN - 單 電壓 - 峰值反向(最大):50V 電流 - 最大:50mA 電容@ Vr, F:0.4pF @ 50V,1MHz 電阻@ Vr, F:4.5 歐姆 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大):100mW 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商設備封裝:3-MCP 包裝:帶卷 (TR)
HSMS-8101-TR1G 功能描述:射頻混合器 4 VBR 0.26 pF RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 頻率范圍: 轉換損失——最大: 工作電源電壓:6 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube