參數(shù)資料
型號： HUF76121D3S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 20A, 30V, 0.023 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
中文描述： 20 A, 30 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大小： 124K
代理商： HUF76121D3S
7
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 17. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 18. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
FIGURE 21. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 22. SWITCHING TIME WAVEFORM
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 1V
Q
g(5)
V
GS
= 5V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
HUF76121SK8
相關PDF資料
PDF描述
HUF76121P3 47A, 30V, 0.021 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76121S3S 47A, 30V, 0.021 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76121S3ST 47A, 30V, 0.021 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76129S3S 56A, 30V, 0.016 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUF76129P3 56A, 30V, 0.016 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs(56A, 30V, 0.016 Ω,N溝道,邏輯電平,UltraFET功率MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HUF76121D3ST 功能描述:MOSFET USE 512-FDD6612A Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76121P3 功能描述:MOSFET 47a 30V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76121S3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HUF76121S3S 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76121S3ST 功能描述:MOSFET USE 512-FDB6030BL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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