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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HX6356XBNC |
| 廠(chǎng)商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 32K x 8 STATIC RAM-SOI |
| 中文描述： | 32K的× 8靜態(tài)RAM的絕緣硅 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | HX6356XBNC |
7
HX6356
ADDRESS
HIGH
IMPEDANCE
DATA OUT
NWE
DATA IN
DATA VALID
T
AVAVW
NCS
CE
T
AVWH
T
WLWH
T
AVWL
T
WLQZ
T
DVWH
T
WHQX
T
WHDX
T
SLWH
T
EHWH
T
WHAX
T
WHWL
WRITE CYCLE AC TIMING CHARACTERISTICS (1)
(1) Test conditions: input switching levels VIL/VIH=0.5V/VDD-0.5V (CMOS), VIL/VIH=0V/3V (TTL), input rise and fall times <1 ns/V, input and
output timing reference levels shown in the Tester AC Timing Characteristics table, capacitive output loading >50 pF, or equivalent capacitive
load of 5 pF for TWLQZ.
(2) Typical operating conditions: VDD=5.0 V, TA=25
°
C, pre-radiation.
(3) Worst case operating conditions: VDD=4.5 V to 5.5 V, -55 to 125
°
C, post total dose at 25
°
C.
(4) TAVAVW = TWLWH + TWHWL
(5) Guaranteed but not tested.
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參數(shù)描述 |
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