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參數(shù)資料
| 型號： | HY27SAxxx |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 1Gbit的（128Mx8bit / 64Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 30/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 729K |
| 代理商： | HY27SAXXX |
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Rev 0.5 / Oct. 2004
30
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Note: (1). The time to Ready depends on the value of the pull-up resistor tied to the Ready/Busy pin. See Figures 32, 33 and 34.
(2). To break the sequential read cycle, CE must be held High for longer than t
EHEL
.
(3). ES = Electronic Signature.
t
WHBL
t
WB
Write Enable High to Ready/Busy Low
Max
100
ns
t
WHRL
t
WHR
Write Enable High to Read Enable Low
Min
60
ns
t
WLWL
t
WC
Write Enable Low to
Write Enable Low
Write Cycle time
Min
60
80
ns
Alt.
Symbol
Symbol
Parameter
3.3V
Device
1.8V
Device
Unit
Figure 21. Command Latch AC Waveforms
Command
tCLHWL
(CLE Setup time)
tELWL
(CE Setup time)
tHWCLL
(CLE Hold time)
tWHEH
(CE Hold time)
tWLWH
tALLWL
(ALE Setup time)
tWHALH
(ALE Hold time)
tDVWH
(Data Setup time)
tWHDX
(Data Hold time)
CLE
ALE
I/O
CE
WE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27SA081G1M | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SA161G1M | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SA1G1M | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA081G1M | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA161G1M | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27SF081G2A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SF081G2A-F(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27SF081G2M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2M-F | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27SF081G2M-T | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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