參數(shù)資料
型號(hào)： HY27SSxxx
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
中文描述： 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 38/43頁(yè)
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代理商： HY27SSXXX
Rev 0.6 / Oct. 2004
38
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics
Figures 32, 33 and 34 show the electrical characteristics for the Ready/Busy signal. The value required for the resistor
R
P
can be calculated using the following equation:
where I
L
is the sum of the input currents of all the devices tied to the Ready/Busy signal. R
P
max is determined by the
maximum value of tr.
Figure 34. Ready/Busy AC Waveform
Figure 35. Ready/Busy Load Circuit
ready
V
OL
Vcc
V
OH
tr
tf
busy
Vcc
Device
Vss
Rp
ibusy
RB
Open Drain Output
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27SS08121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27SS16121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US08121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27USxxx 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27US16121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27UA081G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UA161G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UA1G1M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UAXXX 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2A 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
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