參數(shù)資料
型號： HY27UAxxx
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
中文描述： 1Gbit的（128Mx8bit / 64Mx16bit）NAND閃存
文件頁數(shù)： 30/43頁
文件大?。?/td> 729K
代理商： HY27UAXXX
Rev 0.5 / Oct. 2004
30
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Note: (1). The time to Ready depends on the value of the pull-up resistor tied to the Ready/Busy pin. See Figures 32, 33 and 34.
(2). To break the sequential read cycle, CE must be held High for longer than t
EHEL
.
(3). ES = Electronic Signature.
t
WHBL
t
WB
Write Enable High to Ready/Busy Low
Max
100
ns
t
WHRL
t
WHR
Write Enable High to Read Enable Low
Min
60
ns
t
WLWL
t
WC
Write Enable Low to
Write Enable Low
Write Cycle time
Min
60
80
ns
Alt.
Symbol
Symbol
Parameter
3.3V
Device
1.8V
Device
Unit
Figure 21. Command Latch AC Waveforms
Command
tCLHWL
(CLE Setup time)
tELWL
(CE Setup time)
tHWCLL
(CLE Hold time)
tWHEH
(CE Hold time)
tWLWH
tALLWL
(ALE Setup time)
tWHALH
(ALE Hold time)
tDVWH
(Data Setup time)
tWHDX
(Data Hold time)
CLE
ALE
I/O
CE
WE
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PDF描述
HY27SS08561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27SS561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
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參數(shù)描述
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HY27UF081G2A-F(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
HY27UF081G2A-S(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
HY27UF081G2A-T(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
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