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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY27US08561M |
| 廠(chǎng)商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 片256Mbit（32Mx8bit / 16Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 38/44頁(yè) |
| 文件大小： | 733K |
| 代理商： | HY27US08561M |
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Rev 0.7 / Oct. 2004
38
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics
Figures 32, 33 and 34 show the electrical characteristics for the Ready/Busy signal. The value required for the resistor
R
P
can be calculated using the following equation:
where I
L
is the sum of the input currents of all the devices tied to the Ready/Busy signal. R
P
max is determined by the
maximum value of tr.
Figure 32. Ready/Busy AC Waveform
Figure 34. Ready/Busy Load Circuit
ready
V
OL
Vcc
V
OH
tr
tf
busy
Vcc
Device
Vss
Rp
ibusy
RB
Open Drain Output
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27SSxxx | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SS08121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SS16121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27USxxx | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US16121A | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16121B | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16121M | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
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