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參數(shù)資料
| 型號： | HY29F002TT-55 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO32 |
| 封裝： | TSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 20/38頁 |
| 文件大小： | 381K |
| 代理商： | HY29F002TT-55 |
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20
Rev. 4.1/May 01
HY29F002T
DC CHARACTERISTICS
TTL/NMOS Compatible
Notes:
1. Includes both the DC Operating Current and the frequency dependent component at 6 MHz. The read component of the
I
CC
current is typically less than 2 ma/MHz with OE# at V
.
2. I
CC
active while Automatic Erase or Automatic Program algorithm is in progress.
3. I
max measured with V
CC
= V
CC
max.
4. Not 100% tested.
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2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-70 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TT-90 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F040A | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F002TT-55E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-55I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-70 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TT-70E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002TT-70I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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