參數(shù)資料
型號(hào)： HY29F080G-12
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： x8 Flash EEPROM
中文描述： 1M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO44
封裝： PLASTIC, SOP-44
文件頁(yè)數(shù)： 26/38頁(yè)
文件大?。?/td> 366K
代理商： HY29F080G-12
26
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
Addresses
CE#
t
WC
0x555
PA
PA
PA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
WE#
Data
t
DS
t
DH
0xA0
PD
Status
t
WHWH1
RY/BY#
t
BUSY
t
RB
t
VCS
V
CC
Program Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
D
OUT
t
CH
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, D
is the true data at the program address.
2. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 15. Program Operation Timings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY29F080T90 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080G-70 x8 Flash EEPROM
HY29F080G-90 x8 Flash EEPROM
HY29F080R-12 x8 Flash EEPROM
HY29F080R-70 x8 Flash EEPROM
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參數(shù)描述
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