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參數資料
| 型號： | HY29F080R-12 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO40 |
| 封裝： | REVERSE, TSOP-40 |
| 文件頁數： | 20/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 366K |
| 代理商： | HY29F080R-12 |
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20
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
DC CHARACTERISTICS
TTL/NMOS Compatible
Notes:
1. Includes both the DC Operating Current and the frequency dependent component at 6 MHz. The read component of the
I
CC
current is typically less than 1 ma/MHz with OE# at V
.
2. I
active while Automatic Erase or Automatic Program algorithm is in progress.
3. Not 100% tested.
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2
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V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HY29F080T-12 | x8 Flash EEPROM |
| HY29F080T-70 | x8 Flash EEPROM |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| HY29F080R-55E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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