參數(shù)資料
型號: HY29F080T-70
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: x8 Flash EEPROM
中文描述: 1M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO40
封裝: TSOP-40
文件頁數(shù): 32/38頁
文件大小: 366K
代理商: HY29F080T-70
32
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
t
VIDR
RY/BY#
WE#
CE#
RESET#
V
ID
0 or 5V
t
RSP
t
VIDR
0 or 5V
Figure 22. Temporary Sector Group Unprotect Timings
相關PDF資料
PDF描述
HY29F080T-90 x8 Flash EEPROM
HY29F400BT55 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400TT45 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400TT55 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400TT70 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HY29F080T-70E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080T90 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080T-90 制造商:Hynix Semi 功能描述:
HY29F080T-90E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F200BG-12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM