參數(shù)資料
型號(hào)： HY29F080T-90
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： x8 Flash EEPROM
中文描述： 1M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO40
封裝： TSOP-40
文件頁(yè)數(shù)： 27/38頁(yè)
文件大?。?/td> 366K
代理商： HY29F080T-90
27
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
Addresses
CE#
t
WC
0x2AA
VA
VA
SA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
t
CH
WE#
Data
t
DS
t
DH
0x55
0x30
Status
D
OUT
t
WHWH2
or t
WHWH3
RY/BY#
t
BUSY
t
RB
t
VCS
V
CC
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
0x555 for chip erase
0x10 for
chip erase
Notes:
1. SA =Sector Address (for sector erase), VA = Valid Address for reading status data (see Write Operation Status section),
D
OUT
is the true data at the read address.(0xFF after an erase operation).
2. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 16. Sector/Chip Erase Operation Timings
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PDF描述
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