參數(shù)資料
型號(hào)： HY29F800BG-12
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： x8/x16 Flash EEPROM
中文描述： 512K X 16 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO44
封裝： PLASTIC, SOP-44
文件頁(yè)數(shù)： 30/40頁(yè)
文件大?。?/td> 509K
代理商： HY29F800BG-12
30
Rev. 4.2/May 01
HY29F800
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. VA = Valid Address for reading Toggle Bits (DQ2, DQ6) status data (see Write Operation Status section).
2. Illustration shows first two status read cycles after command sequence, last status read cycle and array data read cycle.
Figure 20. Toggle Polling Timings (During Automatic Algorithms)
t
BUSY
t
CH
t
OE
t
CE
t
RC
VA
Complement
Complement
True
Valid Data
Status Data
Status Data
Data
Valid Data
RY/BY#
DQ[6:0]
DQ[7]
WE#
OE#
CE#
Addresses
VA
VA
t
ACC
t
OEH
t
OH
t
DF
Notes:
1. VA = Valid Address for reading Data# Polling status data (see Write Operation Status section).
2. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle and array data read cycle.
Figure 19. Data# Polling Timings (During Automatic Algorithms)
t
BUSY
t
CH
t
OE
t
CE
t
RC
Valid Status
Valid Status
Valid Status
RY/BY#
DQ[6], [2]
WE#
OE#
CE#
Addresses
VA
VA
VA
t
OEH
t
OH
t
DF
VA
(second read)
(first read)
(stops toggling)
Valid Data
t
ACC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY29F800BG-55 x8/x16 Flash EEPROM
HY29F800BT-70 x8/x16 Flash EEPROM
HY29F800BT-90 x8/x16 Flash EEPROM
HY29LV160BT-70 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160BF-12 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY29F800BG-12E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
HY29F800BG-12I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
HY29F800BG-55 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
HY29F800BG-55E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
HY29F800BG-55I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
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