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參數(shù)資料
| 型號： | HY29LV160BF-70I |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 8 X 9 MM, FBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 41/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | HY29LV160BF-70I |
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41
Rev. 1.2/May 01
HY29LV160
PACKAGE DRAWINGS
Physical Dimensions
FBGA48
- 48-Ball Fine-Pitch Ball Grid Array, 8 x 9 mm (measurements in millimeters)
Note:
Unless otherwise specified, tolerance = ± 0.05
1.10
MAX
0.20
MIN
C
C
0.08
0.76
TYP
C
0.10
Seating
Plane
A1 CORNER
INDEX AREA
9.00 ± 0.10
8.00 ± 0.10
A
B
C
0.10
C
0.10
C
C
2.10 ± 0.10
1.80
± 0.10
Pin A1
Index Mark
4.00 BSC
5.60 BSC
A
B
C
D
E
F
G
H
6
5
4
3
2
1
0.40
BSC
0.80 TYP
0.40
BSC
0.30 ± 0.05
0.15
M
0.08
M
C A B
C
C
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29LV160BF-80I | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160BF-90I | ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84% |
| HY29LV160BT-80 | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160 | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160BT-12I | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29LV160BF-80 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160BF-80I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160BF-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160BF-90I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160BT-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
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