參數(shù)資料
型號(hào)： HY29LV160TT-70
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
中文描述： 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝： TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 35/48頁(yè)
文件大?。?/td> 517K
代理商： HY29LV160TT-70
35
Rev. 1.2/May 01
HY29LV160
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. The system may use CE# or OE# to toggle DQ[2] and DQ[6]. DQ[2] toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 23. DQ[2] and DQ[6] Operation
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In-System Sector Protect and Unprotect, Temporary Sector Unprotect
Notes:
1. Not 100% tested.
Figure 24. Temporary Sector Unprotect Timings
Erase
Complete
WE#
DQ[6]
DQ[2]
Enter Automatic
Erase
Erase
Erase
Suspend
Read
Enter Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Erase
Suspend
t
VIDR
RY/BY#
WE#
CE#
RESET#
V
ID
0 or 3V
t
RSP
t
VIDR
0 or 3V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY29LV160TT-70I 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-80 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-80I 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-90I 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160BF-70 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY29LV160TT-70I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-80 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-80I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-90 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-90I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
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