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參數(shù)資料
| 型號： | HY29LV160TT-90 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 33/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | HY29LV160TT-90 |
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33
Rev. 1.2/May 01
HY29LV160
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. SA =Sector Address (for sector erase), VA = Valid Address for reading status data (see Write Operation Status section),
D
is the true data at the read address.(0xFF after an erase operation).
2. Commands shown are for Word mode operation.
3. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 20. Sector/Chip Erase Operation Timings
Addresses
CE#
t
WC
0x2AA
VA
VA
SA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
t
CH
WE#
Data
t
DS
t
DH
0x55
0x30
Status
D
OUT
t
WHWH2
or
WHWH3
RY/BY#
t
BUSY
t
RB
t
VCS
V
CC
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
Address = 0x555
for chip erase
Data = 0x10
for chip erase
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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