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參數資料
| 型號： | HY57V161610D |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2銀行x為512k × 16位同步DRAM |
| 文件頁數： | 9/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 656K |
| 代理商： | HY57V161610D |
HY57V161610D
Rev. 4.0/Aug. 02
9
AC CHARACTERISTICS
(TA=0
°
C
to 70
°
C
, V
DD
=3.0V to
3.6V, V
SS
=0V
Note1,2
))
Paramter
Symbol
-5
-55
-6
-7
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RAS cycle time
Operation
tRC
55
55
60
-
70
-
ns
Auto Refresh
tRRC
55
55
60
-
70
-
ns
RAS to CAS delay
tRCD
15
16.5
18
-
20
-
ns
RAS active time
tRAS
40
100K
38.5
100K
40
100K
45
100K
ns
RAS precharge time
tRP
3
3
3
-
3
-
CLK
RAS to RAS bank active delay
tRRD
2
2
2
-
2
-
CLK
CAS to CAS bank active delay
tCCD
1
1
1
-
1
-
CLK
Write command to data-in delay
tWTL
0
0
0
-
0
-
CLK
Data-in to precharge command
tDPL
1
1
1
-
1
-
CLK
Data-in to active command
tDAL
4
4
4
-
4
-
CLK
DQM to data-in Hi-Z
tDQZ
2
2
2
-
2
-
CLK
DQM to data mask
tDQM
0
0
0
-
0
-
CLK
MRS to new command
tMRD
2
2
2
-
2
-
CLK
Precharge to data output Hi-Z
tPROZ
3
3
3
-
3
-
CLK
Power down exit time
tPDE
1
1
1
-
1
-
CLK
Self refresh exit time
tSRE
1
1
1
-
1
-
CLK
3
Refresh Time
tREF
64
64
-
64
-
64
ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V161610DTC-5 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-55 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-6 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-7 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-8 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY57V161610D-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1Mx16|3.3V|4K|5|SDR SDRAM - 16M |
| HY57V161610DTC-10 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-10I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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