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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V161610ET-8I |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 5/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 482K |
| 代理商： | HY57V161610ET-8I |
HY57V161610ET-I
Rev. 0.1 / Nov. 2003
5
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA=-40
°
C
to 85
°
C
)
Note :
1.V
DD
(min) is 3.15V when HY57V161610ET-7I operates at CAS latency=2 and tCK2=8.9ns.
2.V
DD
(min) of HY57V161610ET-5I/55I is 3.15V
3.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V
4.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
4
pF
A0 ~ A10, BA
CKE, CS, RAS, CAS, WE, UDQM, LDQM
C
I2
2.5
5
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
4
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Power Supply Voltage
V
DD
3.0
3.6
V
1, 2
Input leakage current
IL
-1
1
uA
3
Output leakage current
IO
-1
1
uA
4
Output high voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output low voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
=+4mA
Vtt=1.4V
RT=250
30pF
Output
DC Output Load Circuit
30pF
Output
AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V161610ET-10I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-55I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610E | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-6 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ET-7 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V161610ET-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ETP-7 | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
| HY57V161610ETP-7I | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY57V161610ETP-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V16161TC-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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