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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V161610ET-I |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2銀行x為512k × 16位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 574K |
| 代理商： | HY57V161610ET-I |
HY57V161610D-I
Rev. 0.3/Mar. 02
10
COMMAND TRUTH TABLE
Note :
1. Exiting Self Refresh occurs by asynchronously bringing CKE from low to high.
2. X=Do not care, L=Low, H=High, BA=Bank Address, RA= Row Address, CA=Column Address, Opcode=Operand Code,
NOP=No Operation.
Command
CKEn-1
CKEn
CS
RAS
CAS
WE
DQM
A
0
~A
9
A10/
AP
BA
Note
Mode Register Set
H
X
L
L
L
L
X
OP code
No Operation
H
X
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
Bank Active
H
X
L
L
H
H
X
Row Address
V
Read
H
X
L
H
L
H
X
Column
Address
L
V
Read with Auto precharge
H
Write
H
X
L
H
L
L
X
Column
Address
L
V
Write with Auto precharge
H
Precharge All Bank
H
X
L
L
H
L
X
X
H
X
Precharge selected Bank
L
V
Burst Stop
H
X
L
H
H
L
X
X
U/LDQM
H
X
V
X
Auto Refresh
H
H
L
L
L
H
X
X
Burst-READ-Single-
WRITE
H
X
L
L
L
L
X
A9 Pin High
(Other Pins OP code)
Self Refresh
1
Entry
H
L
L
L
L
H
X
X
Exit
L
H
H
X
X
X
X
L
H
H
H
Precharge
power down
Entry
H
L
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
Exit
L
H
H
X
X
X
X
L
H
H
H
Clock Suspend
Entry
H
L
H
X
X
X
X
X
L
V
V
V
Exit
L
H
X
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V161610DTC-55I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-6I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-7I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ETP-I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-10 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V161610ETP-7 | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
| HY57V161610ETP-7I | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY57V161610ETP-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V16161TC-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V16161TC-13 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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