參數(shù)資料
型號: HY57V161610ETP-I
廠商: Hynix Semiconductor Inc.
英文描述: 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
中文描述: 2銀行x為512k × 16位同步DRAM
文件頁數(shù): 8/11頁
文件大?。?/td> 574K
代理商: HY57V161610ETP-I
HY57V161610D-I
Rev. 0.3/Mar. 02
8
AC CHARACTERISTICS
(TA= - 40
°
C
to 85
°
C
, V
DD
=3.0V to
3.6V, V
SS
=0V
Note1,2
))
Note :
1. V
DD
(min) is 3.15V when HY57V161610DTC-7I operates at CAS latency=2 and tCK2=8.9ns.
2. A new command can be given tRRC after self refresh exit.
Paramter
Symbo
l
-55I
-6I
-7I
-10I
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RAS cycle
time
Operation
tRC
55
60
-
70
-
70
-
ns
Auto
Refresh
tRRC
55
60
-
70
-
80
-
ns
RAS to CAS delay
tRCD
16.5
18
-
20
-
20
-
ns
RAS active time
tRAS
38.5
100K
40
100K
45
100K
45
100K
ns
RAS precharge time
tRP
3
3
-
3
-
2
-
CLK
RAS to RAS bank active delay
tRRD
2
2
-
2
-
2
-
CLK
CAS to CAS bank active delay
tCCD
1
1
-
1
-
1
-
CLK
Write command to data-in delay
tWTL
0
0
-
0
-
0
-
CLK
Data-in to precharge command
tDPL
1
1
-
1
-
1
-
CLK
Data-in to active command
tDAL
4
4
-
4
-
3
-
CLK
DQM to data-in Hi-Z
tDQZ
2
2
-
2
-
2
-
CLK
DQM to data mask
tDQM
0
0
-
0
-
0
-
CLK
MRS to new command
tMRD
2
2
-
2
-
2
-
CLK
Precharge to data output Hi-Z
tPROZ
3
3
-
3
-
3
-
CLK
Power down exit time
tPDE
1
1
-
1
-
1
-
CLK
Self refresh exit time
tSRE
1
1
-
1
-
1
-
CLK
2
Refresh Time
tREF
64
64
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V161610DTC-10 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610DTC-15 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610D 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610DTC-5 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610DTC-55 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HY57V16161TC-13 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V16161TC-8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
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HY57V164010ALTC-12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM