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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V281620HCST-PI |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | HY57V281620HCST-PI |
HY57V281620HC(L/S)T-I
Rev. 1.0/Mar. 02
5
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA= -40 to 85
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6
Parameter
Pin
Symbol
-6I/KI/HI
-8I/PI/SI
Unit
Min
Max
Min
Max
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
3.5
2.5
4.0
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,
WE, UDQM, LDQM
CI
2
2.5
3.8
2.5
5.0
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
4.0
6.5
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
uA
2
Output High Voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -2mA
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +2mA
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V281620HCST-SI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V283220(L)T(P)-H | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY5V22(L)F(P)-5 | RES 100-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| HY5V22(L)F(P)-55 | RES 100-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V281620HCST-SI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620HCT | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620HCT-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V281620HCT-6 | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:SDRAM, 8M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| HY57V281620HCT-6I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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