- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385421 > HY57V561620T-S (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V561620T-S |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/13頁(yè) |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | HY57V561620T-S |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)當(dāng)前第12頁(yè)第13頁(yè)
HY57V561620(L)T
Revision 1.8 / Apr.01
COMMAND TRUTH TABLE
Note :
1. OP Code : Operand Code
2. V = Valid, X = Don’ care, H = Logic High, L= Logic Low, RA = Row Address, CA = Column Address.
Command
CKEn-1
CKEn
CS
RAS
CAS
WE
DQM
ADDR
A10/
AP
BA
Note
Mode Register Set
H
X
L
L
L
L
X
OP code
1
No Operation
H
X
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
Bank Active
H
X
L
L
H
H
X
RA
V
Read
H
X
L
H
L
H
X
CA
L
V
Read with Autoprecharge
H
Write
H
X
L
H
L
L
X
CA
L
V
Write with Autoprecharge
H
Precharge All Banks
H
X
L
L
H
L
X
X
H
X
Precharge selected Bank
L
V
Burst Stop
H
X
L
H
H
L
X
X
UDQM, LDQM
H
X
V
X
Auto Refresh
H
H
L
L
L
H
X
X
Self Refresh
Entry
H
L
L
L
L
H
X
X
Exit
L
H
H
X
X
X
X
L
H
H
H
Precharge
power down
Entry
H
L
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
Exit
L
H
H
X
X
X
X
L
H
H
H
Clock
Suspend
Entry
H
L
H
X
X
X
X
X
L
V
V
V
Exit
L
H
X
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V56820B | 4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V56820BL | 4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGLT-8I | CAP SMD 0805 .01UF 50V 5% |
| HY57V641620HGLT-P | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HG-I | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V561620T-SI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V56420ALT-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HY57V56420ALT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HY57V56420ALT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HY57V56420ALT-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。