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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V64820HG |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4銀行x 2米× 8位同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | HY57V64820HG |
HY57V64820HG
Rev. 0.5/Sep. 02
11
PACKAGE INFORMATION
400mil 54pin Thin Small Outline Package
11.938(0.4700)
11.735(0.4620)
10.262(0.4040)
10.058(0.3960)
22.327(0.8790)
22.149(0.8720)
5deg
0deg
0.597(0.0235)
0.406(0.0160)
0.210(0.0083)
0.120(0.0047)
1.194(0.0470)
0.991(0.0390)
0.80(0.0315)BSC
0.400(0.016)
0.300(0.012)
UNIT : mm(inch)
0.150(0.0059)
0.050(0.0020)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V64820HGLT-5 | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLT-55 | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGTP-5 | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGTP-55 | Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 25V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk |
| HY57V64820HGTP-6 | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V64820HGLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx8|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 64M |
| HY57V64820HGLT-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLT-55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64820HGLT-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM |
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