參數(shù)資料
型號： HY5DU281622ET-30
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
中文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 26/34頁
文件大?。?/td> 379K
代理商： HY5DU281622ET-30
Rev. 0.5 / Jan. 2005
26
HY5DU281622ET
AC CHARACTERISTICS - I
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
25
26
28
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Row Cycle Time(Manual Precharge)
t
RC
22
-
21
-
20
-
CK
Row Cycle Time(Auto Precharge)
tRC_APCG
24
-
23
-
22
-
Auto Refresh Row Cycle Time
t
RFC
26
-
25
-
24
-
CK
Row Active Time
t
RAS
16
100K
15
100K
14
100K
CK
Row Address to Column Address Delay for Read
t
RCDRD
6
-
6
-
6
-
CK
Row Address to Column Address Delay for Write
t
RCDWR
4
-
4
-
4
-
CK
Row Active to Row Active Delay
t
RRD
4
-
4
-
4
-
CK
Column Address to Column Address Delay
t
CCD
2
-
2
-
2
-
CK
Row Precharge Time
t
RP
6
-
6
-
6
-
CK
Write Recovery Time
t
WR
4
-
4
-
4
-
CK
Last Data-In to Read Command
t
DRL
2
-
2
-
2
-
CK
Auto Precharge Write Recovery + Precharge Time
t
DAL
10
-
10
-
10
-
CK
System Clock Cycle Time
CL=5
t
CK
2.5
6
2.6
6
-
-
ns
CL=4
-
-
-
-
2.8
6
Clock High Level Width
t
CH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CK
Clock Low Level Width
t
CL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
CK
Data-Out edge to Clock edge Skew
t
AC
-0.55
0.55
-0.6
0.6
-0.6
0.6
ns
DQS-Out edge to Clock edge Skew
t
DQSCK
-0.55
0.55
-0.6
0.6
-0.6
0.6
ns
DQS-Out edge to Data-Out edge Skew
t
DQSQ
-
0.35
-
0.35
-
0.35
ns
Data-Out hold time from DQS
t
QH
tHPmin
-tQHS
-
tHPmin
-tQHS
-
tHPmin
-tQHS
-
ns
1,6
Clock Half Period
t
HP
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
ns
1,5
Data Hold Skew Factor
t
QHS
-
0.35
-
0.35
-
0.35
ns
6
Input Setup Time
t
IS
0.75
-
0.75
-
0.75
-
ns
2
Input Hold Time
t
IH
0.75
-
0.75
-
0.75
-
ns
2
Write DQS High Level Width
t
DQSH
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Write DQS Low Level Width
t
DQSL
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Clock to First Rising edge of DQS-In
t
DQSS
0.85
1.15
0.85
1.15
0.85
1.15
CK
Data-In Setup Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DS
0.35
-
0.35
-
0.35
-
ns
3
Data-In Hold Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DH
0.35
-
0.35
-
0.35
-
ns
3
相關PDF資料
PDF描述
HY5DU281622ET-33 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-36 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-4 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-5 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU283222AF 128M(4Mx32) GDDR SDRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HY5DU281622ET-33 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-36 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-4 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-5 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ETP 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*