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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU561622CT-D |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256M-P DDR SDRAM |
| 中文描述： | 256M磷DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/34頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 248K |
| 代理商： | HY5DU561622CT-D |
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Rev. 0.3 / Oct. 2003 12
HY5DU56422CT-D4/ D43
HY5DU56822CT-D4/ D43
HY5DU561622CT-D4/ D43
OPERATION COMMAND TRUTH TABLE-III
Current
State
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
Address
Command
Action
ROW
ACTIVATING
H
X
X
X
X
DSEL
NOP - Enter ROW ACT after tRCD
L
H
H
H
X
NOP
NOP - Enter ROW ACT after tRCD
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
4
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
4,10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
4,10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,9,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,10
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
WRITE
RECOVERING
H
X
X
X
X
DSEL
NOP - Enter ROW ACT after tWR
L
H
H
H
X
NOP
NOP - Enter ROW ACT after tWR
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
4
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,11
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
WRITE
RECOVERING
WITH
AUTOPRE-
CHARGE
H
X
X
X
X
DSEL
NOP - Enter precharge after tDPL
L
H
H
H
X
NOP
NOP - Enter precharge after tDPL
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
4
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
4,8,10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
4,10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,11
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
REFRESHING
H
X
X
X
X
DSEL
NOP - Enter IDLE after tRC
L
H
H
H
X
NOP
NOP - Enter IDLE after tRC
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
11
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS1G1631CFP | 1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631CFP-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631CFP-E3 | 1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631CFP-S5 | 1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631CFP-Y5 | 1Gb DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU561622CT-D4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU561622CT-D43 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU561622CTP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M(16Mx16) gDDR SDRAM |
| HY5DU561622CTP-28 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M(16Mx16) gDDR SDRAM |
| HY5DU561622CTP-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M(16Mx16) gDDR SDRAM |
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